base voltage

напряжение на базе фототранзистора
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
U_эб
U_кб
U_BE
U_BC
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• base voltage

DE

• Basisspannung

FR

• tension de base

эталонное напряжение
опорное напряжение
Стабильное напряжение, с которым сравнивается машинная переменная.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 84. Аналоговая вычислительная техника. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1972 г.]

Тематики

• аналоговая и аналого-цифровая выч.техн.

Обобщающие термины

• программирование аналоговых вычислительных машин

Синонимы

• опорное напряжение

EN

• reference voltage

DE

• Bezugsspannung
• Vergleichsspannung

FR

• tension de base

104. Напряжение на базе фототранзистора

D. Basisspannung

E. Base voltage

F. Tension de base

Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

U_BC

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

плавающее напряжение эмиттер-база
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
U_ЭБпл
U_EBfl
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• floating emitter-base voltage

FR

• tension flottante émetteur-base

9. Плавающее напряжение эмиттер-база

E. Floating emitter-base voltage

F. Tension flottante émetteur-base

U_ЭБпл

Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
U_{КБОпроб}
U_(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• breakdown collector-base voltage

DE

• Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

FR

• tension de claquage collecteur-base

12. Пробивное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

E. Breakdown collector-base voltage

F. Tension de claquage collecteur-base

U_{КБОпроб}

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
U_{ЭБОпроб}
U_(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• breakdown emitter-base voltage

DE

• Emitter-Basis-Durchbruchspannung

FR

• tension de claquage émetteur-base

11. Пробивное напряжение эмиттер-база

D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung

E. Breakdown emitter-base voltage

F. Tension de claquage émetteur-base

U_{ЭБОпроб}

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ,и max}
U_{СBM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector-base voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung

FR

• tension de crête collecteur-base maximale

77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-base voltage

F. Tension de crête collector-base maximale

U_{КБ, и max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ max}
U_{СB max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector-base (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

FR

• tension continue collecteur-base maximale

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

E. Maximum collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base maximale

U_{КБ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
U_{ЭБ max}
U_{EB max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum emitter-base (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung

FR

• tension continue émetteur-base maximale

73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung

E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage

F. Tension continue émetteur-base maximale

I_{ЭБ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
U_КБ
U_CB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, U_КБО, U_CBO.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• collector-base (d.с.) voltage

DE

• Kollektor-Basis-Spannung

FR

• tension continue collecteur-base

58. Постоянное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Spannung

E. Collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base

U²_КБ

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
U_ЭБ
U_EB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, U_ЭБО, U_EBO.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• emitter-base (d.с.) voltage

DE

• Emitter-Basis-Spannung

FR

• tension continue émetteur-base

57. Постоянное напряжение эмиттер-база

D. Emitter-Basis-Spannung

E. Emitter-base (d.с.) voltage

F. Tension continue émetteur-base

U¹_ЭБ

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
U_БЭнас
U_BEsat
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• saturation base-emitter voltage

DE

• Basis-Emitter-Sättigungsspannung

FR

• tension de saturation base-émetteur

8. Напряжение насыщения база-эмиттер

D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung

E. Saturation baseemitter voltage

F. Tension de saturation base-émetteur

U_БЭнас

Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
U_{кпр к}
U_{BR CBO}
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• collector-base breakdown voltage of a phototransistor

DE

• Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

FR

• tension de claquage collecteur-base de phototransistor

пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
U_бпрэ
U_{BR EBO}
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

DE

• Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors

FR

• tension de claquage émetteur-base de phototransistor

106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-base de

phototransistor

Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors

E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage emetteur-base de

pbototransistor

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

коэффициент ответвления (соответствующий конкретному ответвлению)
Отношение Uотв/Uном (коэффициент ответвления) либо 100 Uотв/Uном ((коэффициент ответвления, выраженный в процентах), где
Uном — номинальное напряжение обмотки, В (см. 3.4.3), a
Uотв — напряжение, возникающее при холостом ходе между выводами обмотки, присоединенной к данному ответвлению, при приложении номинального напряжения к обмотке без ответвлений, В.
Примечание — Это определение не распространяется на последовательную обмотку линейного регулировочного трансформатора (см. 3.1.3), для которого коэффициент ответвления, выраженный в процентах, относится к напряжению обмотки возбуждения или обмотки сетевого трансформатора, связанного с линейным регулировочным трансформатором
(МЭС 421-05-03).
[ ГОСТ 30830-2002]

EN

tapping factor
the ratio Ud/ UN (tapping factor) or 100 Ud/ UN (tapping factor expressed as a percentage)
where:
UN is the rated voltage of the winding
Ud is the voltage which would be developed at no-load at the terminals of the winding, connected on the tapping concerned, by applying rated voltage to an untapped winding
NOTE – The tapping factor expresses the relative value of the "effective number of turns" of the tapped winding at the relevant tapping, the basis 1 being the effective number of turns of this winding at the principal tapping
[IEV number 421-05-03]

FR

facteur de prise
rapport Ud/ UN (facteur de prise) ou 100 Ud/ UN (facteur de prise exprimé sous la forme d'un pourcentage)
où:
UN est la tension assignée de l'enroulement,
Ud est la tension qui serait développée aux bornes de l'enroulement, connecté sur la prise considérée, en fonctionnement à vide, en appliquant à un enroulement sans prise sa tension assignée
NOTE – Le facteur de prise exprime la valeur relative du "nombre effectif de spires" de l'enroulement à prises pour la prise considérée, la base 1 étant le nombre effectif de spires de cet enroulement pour la prise principale.
[IEV number 421-05-03]

Тематики

• трансформатор

Классификация

EN

• tapping factor

DE

• Anzapfungsfaktor

FR

• facteur de prise

категория перенапряжения (в цепи или электрической системе)
Условное число, основанное на ограничении (или регулировании) значений ожидаемого переходного перенапряжения, возникающего в цепи (или в электрической системе с различными номинальными напряжениями), зависящее от способов воздействия на перенапряжения.
Примечание. В электрической системе переход от одной категории перенапряжения к другой, более низкой, достигается средствами, совместимыми с требованиями к переходным участкам, например с помощью устройства для защиты от перенапряжений или последовательно-параллельного присоединения импеданса, способного рассеять, поглотить или отклонить энергию соответствующего импульсного тока с целью снижения переходного перенапряжения до желательно меньшей категории перенапряжения.
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]

категория перенапряжения
Категория электротехнического оборудования по стойкости изоляции к импульсным перенапряжениям (всего четыре категории: I, II, III, IV)
[Интент]

EN

overvoltage category (of a circuit or within an electrical system)
conventional number based on limiting (or controlling) the values of prospective transient overvoltages occurring in a circuit (or within an electrical system having different nominal voltages) and depending upon the means employed to influence the overvoltages
NOTE In an electrical system, the transition from one overvoltage category to another of lower category is obtained through appropriate means complying with interface requirements, such as an overvoltage protective device or a series-shunt impedance arrangement capable of dissipating, absorbing, or diverting the energy in the associated surge current, to lower the transient overvoltage value to that of the desired lower overvoltage category
[IEC 60947-1, ed. 5.0 (2007-06)]

FR

catégorie de surtension (d'un circuit ou dans un réseau)
nombre conventionnel, basé sur la limitation (ou la commande) des valeurs des surtensions transitoires présumées apparaissant dans un circuit (ou dans un réseau où existent des sections de tensions nominales différentes) et dépendant des moyens employés pour agir sur ces surtensions
NOTE Dans un réseau, le passage d'une catégorie de surtension à une autre de catégorie inférieure est réalisé à l'aide de moyens appropriés répondant aux prescriptions d'interface, tels qu'un dispositif de protection contre les surtensions ou des impédances disposées en séries et/ou en parallèle capables de dissiper, d'absorber ou de détourner l'énergie du courant de surcharge correspondant, afin d'abaisser la valeur des surtensions transitoires à celle qui correspond à la catégorie de surtension inférieure recherchée
[IEC 60947-1, ed. 5.0 (2007-06)]

Требуемая стойкость к импульсным напряжениям, кВ:

• Оборудования на вводе в установку ( IV категория перенапряжения)
  
• Оборудования распределительных и конечных цепей ( III категория перенапряжения)
  
• Электробытовых приборов и электроприемников ( II категория перенапряжения)
  
• Специально защищенного оборудования ( I категория перенапряжения)
  

[ ГОСТ Р 50571-4-44-2011( МЭК 60364-4-44: 2007) ]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• overvoltage categories
• overvoltage category (of a circuit or within an electrical system)
• overvoltage withstand categories
• surge voltage category

FR

• catégorie de surtension (d'un circuit ou dans un réseau)

разъединитель (заземлитель) с разделенными опорами
Разъединитель (заземлитель), в котором подвижные и неподвижные контакты каждого полюса не опираются на одно общее основание или раму.
Примечания
1 Характерным примером является пантографный или полупантографный разъединитель.
2 Этот термин распространяется только на разъединители высокого напряжения.
[ ГОСТ Р 52726-2007]

EN

divided support disconnector, (earthing switch)
a disconnector [earthing switch] in which the fixed and moving contacts of each pole are not supported by a common base or frame
NOTE 1 A typical example is the pantograph or semi-pantograph disconnector.
NOTE 2 This term applies to high-voltage disconnectors only.
NOTE Examples are pantograph and semi-pantograph disconnectors.
[IEC 62271-102, ed. 1.0 (2001-12)]

FR

sectionneur (sectionneur de terre) à éléments séparés
sectionneur [sectionneur de terre] dont les contacts fixes et mobiles de chaque pôle ne sont pas supportés par une embase ou un châssis commun
NOTE 1 Un exemple caractéristique est le sectionneur pantographe ou semi-pantographe.
NOTE 2 Ce terme ne concerne que les sectionneurs à haute tension.
NOTE Des exemples sont les sectionneurs pantographes ou semi-pantographes.
[IEC 62271-102, ed. 1.0 (2001-12)]

Тематики

• высоковольтный аппарат, оборудование...

Классификация

EN

• divided support disconnector, (earthing switch)

FR

• sectionneur (sectionneur de terre) à éléments séparés